特許

J-GLOBAL ID：201103099254542210

V族遷移金属ダイカルコゲナイド結晶からなるナノファイバー又はナノチューブ並びにその製造方法

発明者： 丹田 聡 ,  稲垣 克彦 ,  常田 琢 ,  豊嶋 剛司
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 入交 孝雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-156227
公開番号（公開出願番号）：特開2004-359471
特許番号：特許第4125638号
出願日： 2003年06月02日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】V族遷移金属ダイカルコゲナイド結晶からなるナノファイバー又はナノチューブ。

IPC (4件)：

C01B 19/04 ( 200 6.01) ,  C01G 1/12 ( 200 6.01) ,  C01G 15/00 ( 200 6.01) ,  D01F 9/08 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C01B 19/04 B ,  C01G 1/12 ,  C01G 15/00 C ,  D01F 9/08 D

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ナノワイヤ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-267379   出願人：三菱化学株式会社, 理化学研究所
• 特開昭52-078793
  
• ZnSe単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-211338   出願人：住友電気工業株式会社
• 単結晶の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162487   出願人：石田明広, 藤安洋, 浜松ホトニクス株式会社