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J-GLOBAL ID：201302233310995257   整理番号：13A1721652

Si中エピタキシャルGeナノドット散乱体の熱伝導率低減効果

著者 (6件)： 山阪司祐人 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (JST-さきがけ) ,  上田智広 (大阪大 大学院) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.20A-C13-12  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *ナノ構造 ,  *ゲルマニウム ,  *熱伝導率 ,  散乱
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  ナノドット ,  フォノン散乱

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  エピタキシャル ,  Ge ,  ナノドット ,  散乱体 ,  熱伝導率 ,  低減効果