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J-GLOBAL ID：201402216537797317   整理番号：14A1100913

Si基板上エピタキシャルFe₃O_4-δナノドットの抵抗変化特性とそのアニール処理依存性

著者 (5件)： 松井秀紀 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (JST-さきがけ) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.20A-A10-2  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化鉄 ,  *ナノ構造 ,  *焼なまし ,  酸素 ,  真空 ,  *電流電圧特性 ,  *電気抵抗 ,  ウエハ【IC】 ,  *磁鉄鉱 ,  エピタクシー ,  RAM【メモリ】 ,  *スイッチング ,  化学蒸着 ,  MIS構造
準シソーラス用語： *ナノドット ,  Si基板 ,  ReRAM ,  *抵抗スイッチング ,  反応性蒸着

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  エピタキシャル ,  ナノドット ,  抵抗変化 ,  アニール処理 ,  依存性