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J-GLOBAL ID：201502292785781015   整理番号：15A0506053

Naフラックス結合成長法で作製したGaNバルク結晶における成長初期界面の欠陥構造解析

著者 (7件)： 浅津宏伝 (大阪大 大学院) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  今出完 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.11P-B1-7  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *フラックス法 ,  *格子欠陥 ,  *電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  MOCVD ,  結晶粒界

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： Na ,  フラックス ,  成長 ,  作製 ,  GaN ,  バルク結晶 ,  初期 ,  界面 ,  欠陥構造 ,  解析