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J-GLOBAL ID：202102216051734819   整理番号：21A0697127

AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測

Operand observation of local piezoelectric lattice deformation in AlGaN/GaN HEMT devices by synchrotron radiation nanobeam X-ray diffraction

著者 (10件)： 嶋田章宏 (大阪大 大学院) ,  塩見春奈 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  金木奨太 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  今井康彦 (JASRI) ,  隅谷和嗣 (JASRI) ,  木村滋 (JASRI) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10p-Z04-10  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】AlGaN/GaN HEMTデバイスにおいては、ゲート電圧印加に伴い逆圧電効果が生じ、それによって結晶中に誘起される格子欠陥がデバイス性能を劣化させることが知られている。こうした欠陥導入のダイナミクスは未だ不明な点も多く、欠陥抑制の...【本文一部表示】

シソーラス用語： *X線回折 ,  格子欠陥 ,  格子歪 ,  *シンクロトロン放射 ,  対称性 ,  *圧電気 ,  パルス ,  位相 ,  *HEMT
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  ドレイン電流 ,  過渡電流 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  ゲート電圧 ,  電圧印加 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  圧電 ,  格子変形 ,  放射光 ,  ナノビーム ,  X線回折 ,  オペランド ,  計測