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J-GLOBAL ID：202102266942563175   整理番号：21A1573774

ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

Structure analysis of OVPE-grown GaN crystals by using nanobeam X-ray diffraction

著者 (13件)： 栗谷淳 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  濱地威明 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  滝野淳一 (パナソニック) ,  隅智亮 (パナソニック) ,  宇佐美茂佳 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  隅谷和嗣 (JASRI) ,  今井康彦 (JASRI) ,  木村滋 (JASRI) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.17a-Z27-6  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】窒化ガリウム(GaN)の結晶成長法として近年考案されたOxide-Vapor-Phase-Epitaxy(OVPE)法は、成長中の固体副生成物が出来ないため長時間成長が可能であり、GaN単結晶基板の生産性を向上させることができる[1...【本文一部表示】

シソーラス用語： *X線回折 ,  結晶構造 ,  結晶成長 ,  格子定数 ,  コントラスト ,  単結晶 ,  不純物 ,  ケイ素 ,  エッチピット ,  半値幅 ,  *窒化ガリウム ,  ロッキングカーブ ,  三次元
準シソーラス用語： 逆格子 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノビーム ,  X線回折 ,  GaN ,  結晶 ,  微細構造 ,  解析