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J-GLOBAL ID：200902297696403648   整理番号：08A1178104

単結晶基板上に形成したエピタキシャルFeCo薄膜の微細構造解析

Microstructure Analysis of FeCo Epitaxial Thin Films Grown on Single-Crystal Substrates

著者 (5件)： 鹿田昂平 (中央大 理工) ,  西山努 (中央大 理工) ,  大竹充 (中央大 理工) ,  桐野文良 (東京芸術大 大学院美術研究科) ,  二本正昭 (中央大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 234(MR2008 19-29)  ページ： 25-30  発行年： 2008年10月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超高真空分子線エピタキシー法を用いてFeCo薄膜を2種類の異なる酸化物単結晶基板,MgOおよびAl₂O₃基板上に形成した。MgO(100),(110),(111)基板上にFeCo薄膜は単結晶(100)_bcc,双結晶(211)_bcc,NWおよびKSの関係を持つ2種類の(110)_bcc結晶がそれぞれエピタキシャル成長していることが分かった。FeCo/MgO界面の高分解能断面TEM観察により,FeCo/MgO(100)およびFeCo/MgO(110)界面においてそれぞれ9nm,1.4nmの周期でミスフィット転位が存在していることが認められた。この周期的に導入されたミスフィット転位により,界面における格子ミスフィットが緩和されたものと解釈される。RHEED解析およびφスキャンXRDスペクトルからAl₂O₃(0001)基板上ではNW,KSの関係を持った2種類のFeCo(110)_bcc結晶が,Al₂O₃(1120)基板上では複数の方位関係を持ったFeCo(110)_bcc結晶がそれぞれエピタキシャル成長していることが分かった。これらのエピタキシャルFeCo薄膜の面内磁気異方性はバルクFeCo結晶の結晶磁気異方性を反映しているものと解釈される。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜 ,  *鉄 ,  *コバルト ,  単結晶 ,  基板 ,  エピタクシー ,  酸化マグネシウム ,  酸化アルミニウム ,  微細構造 ,  構造解析 ,  単結晶基板
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

引用文献 (11件)：

• 1) BUTLER W. H. Spin-dependent tunneling conductance of Fe/MgO/Fe sandwiches. Phys. Rev. B. (2001) vol.63, p.054416-054427.
• 2) ZHANG X.-G. Large magnetoresistance in bcc Co/MgO/Co and FeCo/MgO/FeCo tunnel junctions. Phys. Rev. B. (2004) vol.70, p.172407-172410.
• 3) OHTAKE M. Epitaxial growth of hcp/fcc Co bilayer films on Al_2O_3(0001) substrates. J. Appl. Phys.. (2008) vol.103, no.7, p."07B522 1"-"07B522 3".
• 4) OHTAKE M. Epitaxial growth of Co(0001) hcp/Fe(110) bcc magnetic bi-layer films on SrTiO3(111) substrates. J. Magn. Magn. Mater.. (2008)
• 5) MATHON J. Phys. Rev. B. (2001) vol.63, p.220403R.

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶基板 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  微細構造 ,  解析