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J-GLOBAL ID:201002238727666760   整理番号:10A0085998

MgO単結晶基板上に形成したエピタキシャルCo薄膜の構造解析

Analysis of Co Epitaxial Thin Films Grown on MgO Single-Crystal Substrates
著者 (5件):
資料名:
巻: 33  号: 57(MMS2009 72-83)  ページ: 51-58  発行年: 2009年12月10日 
JST資料番号: S0209A  ISSN: 1342-6893  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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超高真空分子線エピタキシー法を用いてMgO単結晶基板上にCo薄膜を形成し,基板結晶方位や基板温度がエピタキシャルCo薄膜の構造に及ぼす効果について調べた。MgO(100)基板上では,基板温度300°C以上の場合,hcp構造のエピタキシャルCo(11<span style=text-decoration:overline>2</span>0)双結晶薄膜が形成され,基板温度100°Cでは,hcp(11<span style=text-decoration:overline>2</span>0)結晶に加えfcc(100)結晶が混在した複合的なエピタキシャル薄膜が得られた。MgO(11O)基板上では,fcc-Co(110)単結晶薄膜が得られた。MgO(111)基板上では,hcp(0001)およびfcc(111)結晶から構成される最密充填面配向Co薄膜がエピタキシャル成長した。基板温度の上昇に伴い,hcp(0001)結晶が増加し,fcc(111)結晶が減少する傾向が認められた。高分解能透過型電子顕微鏡法により,Co/MgO界面のCo膜中にミスフィット転位が存在していることが観察された。ミスフィット転位の導入により,界面における格子不整合歪が緩和されているものと解釈された。(著者抄録)
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分類 (2件):
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薄膜一般  ,  結晶成長一般 
引用文献 (15件):
  • 1) OHTAKE M. Microstructure of Co/X (X=Cu, Ag, Au) Epitaxial Thin Films Grown on Al_2O_3(0001) Substrates. J. Appl. Phys.. (2007) vol. 101, p. "09D122 - 1"-"09D122-3" .
  • 2) OHTAKE M. Epitaxial growth of hcp/fcc Co bi-layer films on Al_2O_3(0001) substrates. J. Appl. Phys.. (2008) vol. 103, p. "07B522 - 1"-"07B522-3" .
  • 3) SHIKADA K. Structure and Magnetic Properties of FeCo Epitaxial Thin Films. J. Magn. Soc. Jpn.. (2009) vol.33, p.85-94.
  • 4) WONG B. Y. The Crystallography and Texture of Co-based Thin Film Deposited on Cr Underlayers. IEEE. Trans. Magn.. (1991) vol.27, p.4713-4717.
  • 5) HINATA S. Uniaxial magnetocrystalline anisotropy for c-plane oriented Co_&lt;100-x&gt;M_x (M : Cr, Mo, W) film with stacking faults. J. Appl. Phys.. (2009) vol. 105, p. "07B718 - 1"-"07B718-3" .
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