抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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超高真空分子線エピタキシー法を用いてMgO単結晶基板上にCo薄膜を形成し,基板結晶方位や基板温度がエピタキシャルCo薄膜の構造に及ぼす効果について調べた。MgO(100)基板上では,基板温度300°C以上の場合,hcp構造のエピタキシャルCo(11<span style=text-decoration:overline>2</span>0)双結晶薄膜が形成され,基板温度100°Cでは,hcp(11<span style=text-decoration:overline>2</span>0)結晶に加えfcc(100)結晶が混在した複合的なエピタキシャル薄膜が得られた。MgO(11O)基板上では,fcc-Co(110)単結晶薄膜が得られた。MgO(111)基板上では,hcp(0001)およびfcc(111)結晶から構成される最密充填面配向Co薄膜がエピタキシャル成長した。基板温度の上昇に伴い,hcp(0001)結晶が増加し,fcc(111)結晶が減少する傾向が認められた。高分解能透過型電子顕微鏡法により,Co/MgO界面のCo膜中にミスフィット転位が存在していることが観察された。ミスフィット転位の導入により,界面における格子不整合歪が緩和されているものと解釈された。(著者抄録)