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J-GLOBAL ID：201002278452792290   整理番号：10A0085999

hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of hcp-Ni and hcp-NiFe Thin Films

著者 (4件)： 大竹充 (中央大 理工) ,  田中孝浩 (中央大 理工) ,  桐野文良 (東京芸術大 大学院美術研究科) ,  二本正昭 (中央大 理工)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 33  号： 57(MMS2009 72-83)  ページ： 59-66  発行年： 2009年12月10日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシー法によりAu(100)単結晶下地層上にエピタキシャルNiおよびNiFe薄膜を形成し,構造と磁気特性を調べた。hcp-Ni結晶およびhcp-NiFe結晶がそれぞれ基板温度300°C以下および400°C以下で形成された。いずれの場合もhcp結晶はc軸が膜面と平行でしかも互いに90°回転した方位関係を持つ2タイプの(1120)_hcpバリアントから構成された。基板温度の上昇に伴い,準安定なhcp結晶はより安定なfcc結晶に変態する傾向が認められた。基板温度100°Cで形成したNiおよびNiFe薄膜は主にhcp結晶から構成されていることが分かった。hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜はそれぞれバルクfcc-Niおよびfcc-NiFe結晶とほぼ同程度の飽和磁化値を持ち,hcp〈0001〉方向に磁化容易軸を持つ磁気異方性を示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜 ,  *エピタクシー ,  MBE成長 ,  基板 ,  結晶 ,  *飽和磁化 ,  磁気異方性 ,  軸方向
準シソーラス用語： fcc結晶 ,  hcp-NiFe薄膜 ,  hcp-Ni薄膜 ,  hcp結晶 ,  *エピタキシャル成長 ,  磁化容易軸 ,  分子線エピタキシー法

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  結晶成長一般  (BK13010Q) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (4件)： HCP ,  Ni ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長