FePt合金系エピタキシャル薄膜におけるL1<sub>0</sub>規則結晶相の成長機構

二本正昭; 中村将大; 清水智貴; 大竹充

文献

J-GLOBAL ID：201802274671920567 整理番号：18A0121749

FePt合金系エピタキシャル薄膜におけるL1₀規則結晶相の成長機構

Growth Mechanism of L1₀-ordered Crystal Phase in FePt-based Epitaxial Magnetic Thin Films

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巻： 117 号： 338(MR2017 26-41) ページ： 51-56 発行年： 2017年11月30日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

高い磁気異方性を持つL1₀-FePt系合金薄膜は,高密度磁気記録媒体やMRAM応用で積極的な研究開発が行われている。次世代磁性デバイス応用では,10nm以下の極薄薄膜を対象に結晶配向,規則度,膜平坦性を高度制御することが必要となる。本研究では,(001)方位の単結晶基板を用いた薄膜エピタキシャル成長技術を活用して200°Cで不規則構造(A1相)を持つFePt系合金薄膜(厚さ:10nmおよび2nm)を形成し,ついで600°C加熱により規則化(L1₀相)させて,不規則相から規則相が形成される過程を高分解能透過電子顕微鏡で詳細に調べた。この結果,(1)A1-FePt(001)膜では基板もしくはキャップ層との格子不整合によって結晶格子が面内方向に拡張し歪んでいること,(2)面内歪が保たれた状態で規則化させることによってc軸を垂直方向に持つL1₀-FePt(001)薄膜を形成できること,(3)熱処理時に膜凝集や構成元素拡散により膜形態が変化し膜内の歪分布が変化するとc軸を面内方向に持つL1₀-FePt(100),(010)結晶が混在すること,(4)表面エネルギーの大きな基板や下地材料を用いることによってc軸が垂直方向に制御された表面平滑性の良い極薄のL1₀-FePt(001)膜が得られること,などが明らかになった。(著者抄録)

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薄膜成長技術・装置 , 金属薄膜 , 磁性材料

引用文献 (15件)：

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FePt合金系エピタキシャル薄膜におけるL10規則結晶相の成長機構

FePt合金系エピタキシャル薄膜におけるL1₀規則結晶相の成長機構