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J-GLOBAL ID：201702258607886950   Reference number：17A0548606

Ferroelectricity of Zr-doped HfO₂ deposited by RF magnetron sputtering

RFマグネトロンスパタリングにより蒸着されたZrドープHfO₂の強誘電性

Author (6)： LIAO J. J. (Tokyo Inst. of Technol.) ,  LIAO J. J. (Xiangtan Univ.) ,  PENG Q. X. (Tokyo Inst. of Technol.) ,  PENG Q. X. (Xiangtan Univ.) ,  ZHOU Y. C. (Xiangtan Univ.) ,  OHMI S. (Tokyo Inst. of Technol.)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.15a-513-2  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetron sputtering ,  sputtered deposition ,  *hafnium oxide ,  zirconium ,  doping ,  *ferroelectricity ,  dielectric polarization ,  dependence ,  electric field ,  dielectric thin film ,  ferroelectrics
Semi thesaurus term： RF magnetron sputtering ,  ferroelectric polarization ,  field dependence ,  ferroelectric thin film

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Terms in the title (7)： RF ,  マグネトロンスパタリング ,  蒸着 ,  Zr ,  ドープ ,  HfO2 ,  強誘電性