井上公

イノウエイサオ | Inoue Isao

所属機関・部署：
職名：上級主任研究員
ホームページURL (1件)： https://sites.google.com/view/isao/

研究分野 (1件)：磁性、超伝導、強相関系

研究キーワード (21件)：単結晶育成 , 量子臨界点 , 超伝導 , パリレン , SrTiO3 , アトラクタ , ニューロモルフィック , 人工シナプス , 人工ニューロン , メモリスタ , 抵抗変化メモリ (RRAM) , 電界効果トランジスタ (FET) , フェルミオロジー , 量子振動 , 酸素同位体効果 , 酸素欠損 , 遷移金属酸化物 , 高エネルギー分光 , 有効質量 , モット転移 , 強相関電子系

競争的資金等の研究課題 (10件)：

2018 - 2023 金属絶縁体転移周辺の異常な物理現象の理解とニューロモルフィック素子開発の協奏
2015 - 2018 モット絶縁体の単結晶薄膜を制御してモットFETのプロトタイプを作る
2015 - 2018 強相関電子系の電界効果とモットFETのプロトタイプ開発
2013 - 2017 固体ゲート絶縁体を利用した電界効果による強相関酸化物の電子相制御
2013 - 2016 ハイブリッド固体ゲート絶縁膜を用いた新奇なモットトランジスタの開発

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論文 (83件)：

Xiangyu Chen, Zolboo Byambadorj, Takeaki Yajima, Hisashi Inoue, Isao H. Inoue, Tetsuya Iizuka. CMOS-based area-and-power-efficient neuron and synapse circuits for time-domain analog spiking neural networks. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2023. 122. 7
P. Stoliar, A. Schulman, A. Kitoh, A. Sawa, I. H. Inoue. STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET. Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM. 2018. 36.4.1-36.4.4
STOLIAR Pablo, SCHULMAN Alejandro, KITOH Ai, SAWA Akihito, INOUE Isao H. Invited Talk: STDP Synapse with Outstanding Stability based on a Novel Insulator-to-2D-Metal Transition FET (シリコン材料・デバイス)--(先端 CMOS デバイス・プロセス技術 (IEDM 特集)). 電子情報通信学会技術研究報告= IEICE technical report: 信学技報. 2018. 117. 427. 17
Schulman Alejandro, Stoliar Pablo, Kitoh Ai, Rozenberg Marcelo, Inoue Isao H. Solid-gate control of insulator to 2D metal transition at SrTiO3 surface. APS Meeting Abstracts. 2017
Stoliar P, Schulman A, Kitoh A, Sawa A, Inoue IH. STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET. 2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM). 2017. 36

MISC (78件)：

Alejandro Schulman, 鬼頭愛, Pablo Stoliar, Marcelo Rozenberg, 井上公. 絶縁体/2次元金属相転移を用いてニューロモルフィック素子を作ろう. 日本物理学会講演概要集. 2017. 72. 0. 1988-1988
Neeraj Kumar, Alejandro Schulman, 鬼頭愛, Pablo Stoliar, 井上公. SrTiO₃単結晶(100)面の金属化に伴う負の静電容量の出現. 日本物理学会講演概要集. 2016. 71. 0. 2200-2200
井上公. RRAMの原理はどこまで理解できたのか?. 日本物理学会誌. 2015. 70. 11. 814-823
浅沼周太郎, 島久, 山田浩之, 井上公, 赤穗博司, 秋永広幸, 澤彰仁. HfO₂ゲート酸化膜を用いた強相関酸化物(Nd,Sm)NiO₃の電子相制御. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2013. 60th. ROMBUNNO.28A-F2-4
富岡泰秀, 伊藤利充, 井上公. 20aPS-89 層状金属間化合物Bi_2Te_3のキャリア制御と輸送特性(20aPS 領域8ポスターセッション(低温I(遷移金属化合物,炭化・硼化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)). 日本物理学会講演概要集. 2010. 65. 0. 540-540

特許 (18件)：

学歴 (2件)：

1990 - 1992 東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
1986 - 1990 東京大学理学部物理学科

学位 (1件)：

博士(理学) (東京大学)

経歴 (5件)：

2022/10 - 現在国立研究開発法人産業技術総合研究所上級主任研究員
2022/02 - 現在筑波大学数理物質系教授
2001/04 - 2022/09 国立研究開発法人産業技術総合研究所主任研究員
1998/11 - 2001/03 電子技術総合研究所電子基礎部主任研究官
1992/04 - 1998/10 電子技術総合研究所電子基礎部研究官

委員歴 (4件)：

2018/04 - 現在 National Institute of Science and Technol- ogy Policy, MEXT Experts Committee Member
2018/04 - 現在文科省科学技術・学術政策研究所科学技術予測センター専門調査員
2011/07 - 2013/06 National Personnel Authority Experts Committee Member
2011/07 - 2013/06 人事院国家公務員試験専門委員

所属学会 (2件)：

日本神経回路学会 , 日本物理学会

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