國分義弘

コクブンヨシヒロ | Kokubun Yoshihiro

研究分野 (4件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (7件)：デバイス , 薄膜 , 結晶成長 , 半導体 , Device , Crystal Growth , Semiconductor

競争的資金等の研究課題 (5件)：

論文 (95件)：

MISC (5件)：

樋口忠宗, 中込真二, 國分義弘. Ptショットキーゲート電界効果型GaNガスセンサ. Proceedings of the Chemical Sensor Symposium. 2007. 43. 88-90
中込真二, 奥田浩二, 國分義弘. Pt/WO3/SiC構造ダイオードの電気的特性の雰囲気ガスによる変化. Proceedings of the Chemical Sensor Symposium. 2002. 34. 37-39
Nakagomi Shinji, Watanabe Hideyuki, Kokubun Yoshihiro. Large Voltage-Response of Pt-TiOx-SiC Diode to Hydrogen Gas (Proceedings of The 5Th East Asian Conference on Chemical Sensors: The 33RD Chemical Sensor Symposium). Proceedings of the Chemical Sensor Symposium. 2001. 33. 50-52
成塚重弥, 菅原秀人, 西川幸江, 板谷和彦, 鈴木真理子, 国分義弘. InGaAlP層へのMgドーピング-空流しの効果. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 1990. 51st. 1
S. Naritsuka, C. Nozaki, N. Sugiyama, Y. Nishikawa, S. Yasuami, Y. Kokubun. GROWTH OF GaAs LAYERS ON (001) Si SUBSTRATES. Conference on Solid State Devices and Materials. 1987. 143-146

特許 (42件)：

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (6件)：

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委員歴 (7件)：

2012 - 2016 応用物理学会東北支部幹事
2002 - 2011 応用物理学会東北支部評議員
1995/11 - 1999/04 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ論文誌編集委員
1993/05 - 1999/04 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ電子部品・材料研究会専門委員
1996/04 - 1998/03 光産業技術振興協会 ISO/TC 172/SC 9(エレクトロオプティカルシステム)国内対策委員会WG 1/LD ad hoc委員会委員

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受賞 (1件)：

所属学会 (2件)：

電子情報通信学会 , 応用物理学会

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國分 義弘