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J-GLOBAL ID：200902110633262014   整理番号：02A0472152

Si(100)基板上のβ-FeSi₂バッファー上へMOCVD合成したβ-FeSi₂薄膜の結晶構造解析

著者 (7件)： 木村武 (東京工大) ,  秋山賢輔 (東京工大) ,  末益崇 (筑波大) ,  長谷川文夫 (筑波大) ,  斎藤啓介 (日本フィリップス) ,  渡辺隆之 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 3  ページ： 1362  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *鉄含有合金 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  バッファー ,  MOCVD ,  薄膜 ,  結晶構造解析