特許
J-GLOBAL ID：200903018404716060

超伝導量子干渉素子及びその製造方法

発明者：
前田 京剛

前田 京剛 について

, 
ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン

ゴメス・エスピノーザ・ルイス・ベルトラン について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (3件)： 平山 一幸 ,  篠田 哲也 ,  小川 耕太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-324093
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147179
出願日： 2007年12月15日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】超伝導量子干渉素子10は、リング部12Aを有する超伝導体層12と、この超伝導体層12のリング部12Aの一部を跨いで配設された強磁性層13,13と、を有する。2つの強磁性層13、13がリング部12Aに跨いで被覆している。超伝導体層12のリング部12Aのうち強磁性層13,13で被覆した領域12B,12Bが、強磁性層13により超伝導体(S)から絶縁体(I)へ転移し、障壁となる。この構造により所謂SIS型のジョセフソン接合が2箇所で形成されるため、所謂DC-SQUIDを構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
リング部を有する超伝導体層と、該リング部上に配設された一又は複数の強磁性層と、を備える超伝導量子干渉素子。
IPC (3件)：
H01L 39/22 ,  H01L 39/24 ,  G01R 33/035
FI (3件)：
H01L39/22 D ,  H01L39/24 C ,  G01R33/035
Fターム (18件)：
2G017AA02 ,  2G017AD34 ,  4M113AA37 ,  4M113AA60 ,  4M113AC07 ,  4M113AC08 ,  4M113AC46 ,  4M113AD37 ,  4M113BA04 ,  4M113BC02 ,  4M113BC04 ,  4M113BC05 ,  4M113BC12 ,  4M113CA13 ,  4M113CA17 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34 ,  4M113CA35
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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