特許
J-GLOBAL ID：200903050014375387
電磁波発生素子
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-059489
公開番号（公開出願番号）：特開2006-243390
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 高出力のまま波長可変範囲を拡大可能にした0.1〜10THzの電磁波を発生する素子を提供する。【解決手段】 0.1〜10THzの電磁波を発生する素子として、化合物半導体を用いた差周波発生型の波長変換素子を用いる。波長変換素子において、フォノン-ポラリトン分散効果が有効に利用できるように、入力ポンプ光の周波数を設定することで、高出力のまま波長可変範囲を広くできる。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
入射する2光波の周波数差が0.1〜10THzの範囲にあり、差周波発生法により0.1〜10THzの電磁波を発生させる擬似位相整合型の波長変換素子を用いた電磁波発生素子であって、該波長変換素子が、非線形光学材料として閃亜鉛鉱構造のIII-V族またはII-VI 族化合物半導体で、ウェハー化したものを{110}面が積層面となるようにして[111]軸方向(もしくは結晶的に等価な軸方向)が互いに反平行になるように周期的に配置した構造を有し、前記化合物半導体のフォノン-ポラリトン分散を利用して、入力信号光と出力差周波光の群速度が広い周波数範囲で一致するように入力ポンプ光の周波数を設定したことにより、出力効率を低下させることなく前記0.1〜10THzの周波数範囲で差周波光を発生することを特徴とする電磁波発生素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2K002AB12
, 2K002BA01
, 2K002CA13
, 2K002HA18
