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J-GLOBAL ID：200902174323757224   整理番号：99A0046875

GaAs n-i-p構造の過渡容量測定における高抵抗率低温層の影響

Effects of High-Resistivity, Low-Temperature Layer in Transient Capacitance Measurements of GaAs n-i-p Structures.

著者 (3件)： CHEN J F (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG P Y (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN N C (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 10B  ページ： L1238-L1240  発行年： 1998年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その真性領域に2000Å厚の低温成長層があるMBE成長GaA...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (11件)：

• 1) D. C. Look, D. C. Walters, M. O. Manasreh, J. R. Sizelove, C. E. Stutz and K. R. Evans: Phys. Rev. B 42 (1990) 3578
• 2) F. W. Smith, H. Q. Le, V. Diadiuk, M. A. Hollis, A. R. Calawa, S. Gupta, M. Frankell, D. R. Dykaar, G. A. Mourouu and T. Y. Hsiang: Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 890
• 3) J. F. Chen, N. C. Chen, S. Y. Chiu, P. Y. Wang, W. I. Lee and A. Chin: J. Appl. Phys. 79 (1996) 8488
• 4) D. C. Look, G. D. Robinson, J. R. Sizelove and C. E. Stutz: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 3004
• 5) K. A. Mclntosh, K. B. Nichols, S. Verghese and E. R. Brown: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 354

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  抵抗率 ,  低温