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J-GLOBAL ID：200902223092957161   整理番号：06A0266635

MOCVD-水熱処理による(Pb,Ba)TiO₃薄膜の低温作製と評価

著者 (7件)： 井上成央 (大阪大 基礎工) ,  直山卓示 (大阪大 基礎工) ,  野田実 (大阪大 基礎工) ,  奥山雅則 (大阪大 基礎工) ,  藤沢浩訓 (兵庫県大 工) ,  清水勝 (兵庫県大 工) ,  斉藤啓介 (ブルカーAXS)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 2  ページ： 596  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： シリコン

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOCVD ,  水熱処理 ,  Pb ,  Ba ,  薄膜 ,  低温 ,  作製 ,  評価