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J-GLOBAL ID:200902258937536312   整理番号:04A0687414

従来型メモリセルの1/3の面積を実現する縦型MOSを用いた4トランジスタSRAMセル

A Stacked Vertical MOS Four-Transistor SRAM Cell with 1/3 Size of a Conventional Memory Cell
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著者 (8件):
資料名:
巻: 104  号: 250(ICD2004 62-81)  ページ: 7-11  発行年: 2004年08月19日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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高集積なSRAMを実現するため,縦型MOSを用いた4トランジ...
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分類 (1件):
分類
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半導体集積回路 

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