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J-GLOBAL ID：201602245611770886   整理番号：16A1000965

AlInN/AlN/GaNヘテロ構造の構造解析

Structural investigation of AlInN/AlN/GaN heterostructures

著者 (10件)： Tamer M. (Faculty of Education, Zirve University, Gaziantep, Turkey) ,  Tamer M. (Department of Physics, Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  OEztuerk M. K. (Department of Physics, Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Corekci S. (Energy Systems Engineering Department, Faculty of Technology, Kirklareli University, Kirklareli, Turkey) ,  Bas Y. (Department of Physics, Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Gueltekin A. (Department of Physics, Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  Kurtulus G. (Department of Physics, Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  OEzcelik S. (Department of Physics, Photonics Research Center, Gazi University, Ankara, Turkey) ,  OEzbay E. (Department of Physics, Nanotechnology Research Center, Bilkent, Ankara, Turkey) ,  OEzbay E. (Department of Electrical and Electronics Engineering, Nanotechnology Research Center, Bilkent, Ankara, Turkey)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 3  ページ： 2852-2859  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の厚さを持つGaN上部層と種々のインジウム組成を持つAlInN層からなるHEMTの特性を調べるために,有機金属化学蒸着法によって,アンドープGaN層/サファイアテンプレート上に,AlInN/AlN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の構造を成長した。HEMTの構造特性を高分解能X線回折(HRXRD)及び原子間力顕微鏡(AFM)によって研究し,電気特性をHall効果測定によって評価した。構造中のGaN層とAlN層のモザイシティを評価するために,Mosaicモデルも用いた。HRXRDの結果から,GaNのらせん転位密度は,In含有量の増加と共に最初に上昇し,その後減少するが,一方,刃状転位は最初に上昇し,その後減少する。AlNとGaNのモザイク欠陥の性質は,構造中のAlInNにおいて同じ傾向と存在を示す。AFM分析から,最上層の厚みを増加させる場合に,GaN表面に明確な原子ステップが現れることが示唆された。HEMT試料のHall移動度及びキャリア密度は,モザイク欠陥特性に単調に依存する。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *構造解析 ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  *半導体薄膜 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  HEMT ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  MOCVD ,  Hall効果 ,  螺旋転位 ,  刃状転位 ,  Hall移動度 ,  キャリア密度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  構造解析