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J-GLOBAL ID：201602249108533162   整理番号：16A0929829

Al_0.61Ga_0.39N混晶薄膜における励起子および励起子分子のストークスシフトの温度依存性

著者 (8件)： 池田和貴 (山口大 大学院) ,  室谷英彰 (徳山工高専) ,  鶴丸拓斗 (山口大 大学院) ,  藤原涼太 (山口大 大学院) ,  倉井聡 (山口大 大学院) ,  三宅秀人 (三重大 大学院) ,  平松和政 (三重大 大学院) ,  山田陽一 (山口大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14a-A21-9  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *励起子分子 ,  *Stokesシフト ,  温度依存性 ,  *励起スペクトル ,  空間分布 ,  状態 ,  MOCVD ,  *光ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  混晶半導体 ,  半導体薄膜 ,  非局在化 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  MOVPE

分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 混晶 ,  薄膜 ,  励起子 ,  励起子分子 ,  ストークスシフト ,  温度依存性