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J-GLOBAL ID：201602264315326003   整理番号：16A1153162

高度論理素子のソース-ドレインエピタクシーと接触形成過程の原子論的シミュレーション流【Powered by NICT】

Atomistic simulation flow for source-drain epitaxy and contact formation processes of advanced logic devices

著者 (8件)： Lee Seon-Young (CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea) ,  Chen Renyu (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Schmidt Alexander (CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea) ,  Jang Inkook (CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea) ,  Kim Dae Sin (CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea) ,  Ahn Chihak (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Choi Woosung (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Lee Keun-Ho (CAE team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co Ltd, Hwasung, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SISPAD  ページ： 101-104  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接触形成過程の原子論的シミュレーションフローを開発し,統合論理トランジスタフロントエンドプロセスシミュレーションした。エピタクシープロセスの既存の原子論的速度論的格子モンテカルロモデルは,けい化に拡張した。金属とシリコン拡散とシリサイド形成反応はファセット効果を含むシリサイド形状の正確なシミュレーションを可能にする原子レベルで考慮した。この方法は設計基準とパラメータ,TCADベース技術最適化のための方法を提供することに依存して素子性能予測を可能にする。実装例として10nmクラス論理素子の接触開口とリセス深さに依存して接触抵抗予測を実証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 珪化作用 ,  ケイ素 ,  設計基準 ,  開口 ,  ケイ化物 ,  最適化 ,  速度論 ,  接触抵抗 ,  ファセット ,  *論理素子
準シソーラス用語： 性能予測 ,  TCAD ,  原子レベル ,  *原子論的シミュレーション ,  *形成過程 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  システム同定  (IA02040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高度 ,  論理素子 ,  ソース ,  形成過程 ,  原子論的シミュレーション