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J-GLOBAL ID：201602269244409330   整理番号：16A1125193

異なる疎水性におけるシリコーンゴムの汚染フラッシュオーバー特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Flashover Characteristic of Polluted Silicone Rubber with Different Hydrophobicity

著者 (5件)： Dai Hanqi (State Grid Beijing Electric Power Compangy) ,  Zhao Chenlong (Graduate School at Shenzhen Tsinghua University) ,  Liang Jianyu (Graduate School at Shenzhen Tsinghua University) ,  Zhou Jun (China Electric Power Research Institute) ,  Wang Liming (Graduate School at Shenzhen Tsinghua University)
資料名： Diangong Jishu Xuebao  (Diangong Jishu Xuebao)
巻： 31  号： 10  ページ： 102-111  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2502A  ISSN： 1000-6753  CODEN： DIJXE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 異なる疎水性条件下でのシリコーンゴム板の汚染フラッシュオーバー特性を研究した。試料を定量的にブラッシングすることにより、移動時間を制御することにより、固体層を異なる程度の疎水性性能を獲得させることができる。層表面の液滴面積の最大値を用いて、汚染層の疎水性の強さを代表し、汚層憎水の性能が平板模型の汚染フラッシュオーバー電圧、汚染層のコンダクタンス及びアークの発展過程に与える影響を分析した。汚層憎水の性能の改善により,汚染フラッシュオーバー電圧は徐々に上昇した。汚染フラッシュオーバー電圧は液滴面積最大値と関連があったが,両者間の分散性は疎水性性能の改善により増加した。表面層の表面形態はアークの発展過程に重要な影響を及ぼし、汚染層表面の水滴が連続水膜を形成する場合、アーク通路が集中し、汚染フラッシュオーバー電圧が低い。表面層が離散的に分布する場合,放電領域は分散し,汚染フラッシュオーバー電圧は高くなる。汚損性試験結果及び異なる疎水性強度層表面の液滴形態により,親水性表面HC7をHC7A,HC7B,HC7C及びHC7D四つの状態に分類した。HC7B状態では汚層憎水の性能は弱いが,相対に対して疎水性が全くない場合(HC7CとHC7D)では,試料の汚染フラッシュオーバー電圧が著しく上昇した。そのため、HC7B状態の汚染フラッシュオーバー電圧に基づいて複合碍子構造を設計することは、碍子の安全マージンを保証すると同時に、碍子の構造高さを最適化することができる。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  水滴 ,  液滴 ,  親水性 ,  分散度 ,  *シリコーンゴム ,  電圧 ,  碍子 ,  表層 ,  *フラッシュオーバ ,  コンダクタンス ,  アーク放電 ,  *疎水性 ,  水膜 ,  表面形態 ,  改変

著者キーワード (5件)： Silicone rubber insulator ,  hydrophobicity ,  pollution flashover ,  droplet area ,  electric arc

分類 (4件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  電気絶縁材料  (YH06020F) ,  電力線路要素・工事  (NB05020V) ,  無機重合体  (YH07140R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 疎水性 ,  シリコーンゴム ,  汚染 ,  フラッシュオーバー ,  研究