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J-GLOBAL ID：201602276929116342   整理番号：16A0804620

GaNトンネルスイッチダイオード【Powered by NICT】

GaN tunnel switch diodes

著者 (5件)： Chaney Alexander (Cornell University, Ithaca, NY 14850, USA) ,  Qi Meng (University of Notre Dame, Notre Dame, IN46656, USA) ,  Islam S. M. (Cornell University, Ithaca, NY 14850, USA) ,  Xing Huili Grace (Cornell University, Ithaca, NY 14850, USA) ,  Jena Debdeep (Cornell University, Ithaca, NY 14850, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネルスイッチダイオード(TSD)は負の微分抵抗を持つS字型IV曲線を示した。トンネルのために,それらは低電流,高抵抗状態(HRS)間のスイッチすることができ,大電流,低抵抗状態(LRS)高速,高速メモリ[1]に有望である。TSDはpn接合の上部に薄いトンネル障壁,から構成されている[図1(a)]。HRS状態では,障壁はのみを通した小さいトンネル電流を可能にした。スイッチング電圧を越えたバイアスとpn接合のp層は表面電界効果から枯渇させ,表面空乏端は埋没したpnダイオードの空乏端に達した。埋込みダイオードに及ぼす電子とp層を満たしを変化した。これらの電子の多くは,上部三角形量子井戸障壁中にトラップされたデバイスを自己バイアスになった。この状態は不安定であるため,TSDはLRS[Fig.1(b)]に達したとき,電場中の液滴は,p層barrerから移動し,トンネル電流を突然発症した。印加バイアスの減少はこの過程とTSDスイッチを逆転させるHRS状態に戻る。スイッチング電圧はV_s=qN_A(t_p-x_dep。)~2)/2∈_半∈_O+t_barrier2q∈_semiN_Aφ_s/∈_障壁∈_Oで見出すことができ,N_Aはアクセプタドーピング濃度,x_depは,p層のpn接合空乏層幅が,t_pとt_barrier p層とトンネル障壁の厚さは,∈_半と∈_障壁はp層の相対誘電定数,障壁とφ_s p層を枯渇させるために必要な表面可能性がある。TSDsは,SiO_2/Siと最近[2,3]AlSb/GaSbヘテロ構造で調べた。GaN pnダイオードと偏光物理[4]の進歩は新しい機能を有するTSDを実現する刺激的な機会を提供する。本研究では,初めてGaNホモ接合とヘテロ接合TSDを実証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 空乏層 ,  *ダイオード ,  PN接合 ,  誘電率 ,  量子井戸 ,  *窒化ガリウム ,  バイアス ,  高速度 ,  アンチモン化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  *スイッチ ,  電場 ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  トンネル障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 信号理論  (ND02020G) ,  符号理論  (ND02030R) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (1件)： GaN