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J-GLOBAL ID：201602277669581288   整理番号：16A0957911

1,1,2,3,4,5-六Ben基硅雑シクロペンタジエンX線スペクトルの理論的研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Study on X-Ray Spectroscopy of 1,1,2,3,4,5-Hexaphenylsilole

著者 (5件)： Song Xiuneng (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University) ,  Wang Guangwei (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University) ,  Chang Yan (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University) ,  Mayong (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University) ,  Wang Chuankui (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University)
資料名： Wuli Huaxue Xuebao  (Wuli Huaxue Xuebao)
巻： 32  号： 4  ページ： 943-949  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0391A  ISSN： 1000-6818  CODEN： WHXUEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 近年フェニル1種類の高効率の有機発光ダイオード材料が広く研究されているとして未来。本作業は密度汎関数理論を利用して芯態正孔を1,1,2,3,4を検討した近似を結合し,5-六Ben基硅雑環戊二Xi分子中の炭素原子のKシェルとシリコン原子LシェルのX線光電子分光法と近端部X線吸収微細構造スペクトル,スペクトル線は実験とよく一致した。理論的結果は実験測定の1,1,2,3,4,5-六Ben基硅雑環戊二Xi分子のX線スペクトル分析と校正を行った。我々は,炭素原子KシェルX線光電子エネルギースペクトル低エネルギー域283.8EVのピークはシリコン原子との結合の2つの電気陰性度が強い炭素原子によるものであると発見した。層近辺炭素原子KシェルX線吸収微細構造スペクトルの最も強い吸収ピークとベンゼン分子の吸収ピークと類似していた。シリコン原子LシェルX線吸収微細構造スペクトル2つの主要なそれぞれがΣに由来する吸収ピーク(SI-C)__(SI-PH)*とΠ*遷移に層近辺。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー分布 ,  正孔 ,  *スペクトル ,  炭素 ,  *X線 ,  ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  光電子 ,  密度汎関数法 ,  電気陰性度 ,  XAFS ,  *X線スペクトル ,  低エネルギー ,  有機EL素子 ,  芳香族炭化水素

著者キーワード (5件)： Benzene-based silole ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  Near-edge X-ray absorption fine structure spectroscopy ,  Density functional theory ,  Full core hole

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

物質索引 (1件)： ベンゼン

タイトルに関連する用語 (4件)： シクロペンタジエン ,  X線スペクトル ,  理論 ,  研究