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J-GLOBAL ID：201602279522193624   整理番号：16A0880598

フラッシュに基づくFPGAにおける重イオンシングルイベント効果に関する実験的研究【Powered by NICT】

Experimental study on heavy ion single-event effects in flash-based FPGAs

著者 (9件)： Yang Zhenlei (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Xiaohui (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Su Hong (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Jie (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Tianqi (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Xi Kai (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Bin (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Gu Song (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  She Qianshun (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Hejishu(Yingwenban)  (Hejishu(Yingwenban))
巻： 27  号： 1  ページ： 701-708  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2619A  ISSN： 1001-8042  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 軍事と航空宇宙分野でフラッシュベースフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)の広範な使用により,放射線により誘導されるFPGAのシングルイベント効果(SEE)は主要な関心事であった。本論文では,Microsemi ProASIC3製品ファミリからフラッシュベースFPGAのSEE実験研究を示した。断面積と論理タイルと埋め込みRAMブロックのための異なる線エネルギー付与(LET)値が得られた。結果は,順序論理断面積は素子の動作周波数にも依存しないことを示した。0→1アップセット(零点)と1→0アップセット()の間の関係は異なる種類のD-フリップフロップの異なっていた。99.0MeV cm-2/mgのLETまでデバイスはSELに敏感でない。ポストビーム・テストは,プログラミングモジュールは,高LETイオンによる損傷であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 零点 ,  断面積 ,  *重イオン ,  双安定回路 ,  線エネルギー付与 ,  イオン ,  放射線 ,  *FPGA
準シソーラス用語： 動作周波数 ,  *SEE【事象】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シングルイベント効果(SEE) ,  フラッシュベースFPGA ,  HIRFL ,  重イオン実験

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： フラッシュ ,  FPGA ,  重イオン ,  シングルイベント効果 ,  実験的研究