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J-GLOBAL ID：201602285715514020   整理番号：16A1063777

埋め込み電極を用いたAlN/SiO-2/3C SiC層状構造のSAW特性【Powered by NICT】

SAW Characteristics of AlN/SiO₂/3C-SiC Layered Structure With Embedded Electrodes

著者 (5件)： Zhang Qiaozhen (Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Han Tao (Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Tang Gongbin (Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Chen Jing (Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Hashimoto Ken-Ya (Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
資料名： IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control  (IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 63  号： 10  ページ： 1608-1612  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0369A  ISSN： 0885-3010  CODEN： ITUCER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ,高品質AlN薄膜の成長を可能にする,窒化アルミニウム(AlN)/二酸化ケイ素(SiO_2)/埋め込み電極を持つ立方晶炭化けい素の層状構造を提案し,研究した。提案した構造における弾性表面波の周波数(TCF)の位相速度,結合係数,温度係数は有限要素法を用いて調べた。シミュレーション結果は,5485m/sの高い速度と1.45%の大きな有効結合係数( K2)は第1モードのための同時に得られることを示した。10.5%の劇的に強化されたK 2もSc0.5 4Al0.6N薄膜を用いた提案した構造上に得ることができた。に加えて,優れた零TCFはまた非晶質SiO_2オーバレイを添加することにより結合係数を劣化させることなく達成された。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 弾性表面波 ,  温度係数 ,  薄膜 ,  周波数 ,  *炭化ケイ素 ,  有限要素法 ,  位相速度 ,  *層状組織 ,  シミュレーション ,  二酸化ケイ素 ,  結合係数 ,  *窒化アルミニウム
準シソーラス用語： 高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T) ,  音波伝搬  (BB03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋め込み電極 ,  AlN ,  SiO ,  SiC ,  層状構造 ,  SAW