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J-GLOBAL ID：201702211077702264   整理番号：17A0400492

多層カーボンナノチューブ束を充填した低損失シールド貫通シリコンバイア【Powered by NICT】

Low-loss shielded through-silicon vias filled with multi-walled carbon nanotube bundle

著者 (6件)： Su Jinrong (College of Physics and Electronics, Shanxi University, Shanxi 030006, People’s Republic of China) ,  Ma Runbo (College of Physics and Electronics, Shanxi University, Shanxi 030006, People’s Republic of China) ,  Chen Xinwei (College of Physics and Electronics, Shanxi University, Shanxi 030006, People’s Republic of China) ,  Han Liping (College of Physics and Electronics, Shanxi University, Shanxi 030006, People’s Republic of China) ,  Yang Rongcao (College of Physics and Electronics, Shanxi University, Shanxi 030006, People’s Republic of China) ,  Zhang Wenmei (College of Physics and Electronics, Shanxi University, Shanxi 030006, People’s Republic of China)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 58  ページ： 83-88  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,(S TSV)により遮蔽されたシリコンベース多層カーボンナノチューブ束(MWCNTB)を提案し,MWCNTB(σ_MWCNTB)の当量伝導度のためのコンパクトな表式はMWCNTB基づくS TSV(MS TSV)の抵抗を計算するために推定した。,Sパラメータ,減衰定数と時間遅れを含む電気特性を調べた。結果はMS TSVのS_21はMWCNTの最も外側の直径とシールド層の厚さの減少の増加と共に増加することを示した。銅充填S TSV(CuS TSV)と比較して,MS TSVはより大きなS_21,より小さい減衰と短時間遅延を持っている。最後に,MS TSVの電気伝導率に及ぼす幾何学的パラメータの影響を解析した。σ_MWCNTB≧σ_Cuを満たすMWCNTBの最小充填密度を推定した。結果は,MWCNTの最外径はMS TSVの電気伝導率に及ぼす最も重要な影響を持つことを示し,厚いMWCNTはMS TSVの電気伝導率を増加させ,MWCNTBの充填密度を減少させ,製造困難を減少させるために有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気特性 ,  外径 ,  電気伝導率 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  減衰定数
準シソーラス用語： 充填密度 ,  幾何学的パラメータ ,  時間遅れ ,  Sパラメータ ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 前方透過係数 ,  多層カーボンナノチューブ(MWCNT) ,  伝搬定数 ,  (TSV)によるシリコン貫通 ,  時間遅延

分類 (4件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  発振回路  (NC05020Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層カーボンナノチューブ ,  束 ,  低損失 ,  シールド