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J-GLOBAL ID:201702219318381683   整理番号:17A0449374

SiO_2~-シェル増強ふっ素修飾による大気汚染物質の光分解における欠陥分布の最適化【Powered by NICT】

Optimization of defect distribution in photodegradation of air pollutants via SiO2-shell-enhanced fluorine modification
著者 (11件):
資料名:
巻: 205  ページ: 631-636  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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バルクと表面欠陥の分布は,光発生電荷キャリアの分離と注入に顕著に影響する。本研究では,バルクと表面欠陥の分布を最適化するためのSiO_2~-シェル増強F修飾の戦略を提供した。物理的構造に及ぼすSiO_2被覆とF修飾,光発生電荷キャリアの分離挙動,およびP25の光触媒活性の効果を,透過型電子顕微鏡,X線回折,X線光電子分光法,表面光起電力分光法,とトルエンの分解実験により研究した。結果はSiO_2~-フッ素P25上でのトルエンの除去速度はP25とF修飾P25よりも有意に高いことを示した。SiO_2~-シェル増強F修飾が同時に表面Ti~3+の含有量を増加させ,バルク欠陥を減少させ,その結果,電荷キャリアの分離を促進した。さらに,表面でドープしたFはトルエンの除去に対して強い触媒効果を発揮し,格子中にドープされたFは光生成電荷キャリアの再結合をもたらした。SiO_2コーティングと焼成処理は有意にTiO_2表面でドープしたFイオンの量を増加させ,格子中のFドーピングを阻害した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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光化学一般  ,  光化学反応 
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