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J-GLOBAL ID：201702227600716330   整理番号：17A0389178

イオン伝導体Na_1/2Bi_1/2TiO_3における酸素移動に及ぼす相転移と欠陥会合の影響【Powered by NICT】

Influence of phase transitions and defect associates on the oxygen migration in the ion conductor Na_1/2Bi_1/2TiO₃

著者 (2件)： Meyer Kai-Christian (Institute of Materials Science, Technische Universitaet Darmstadt, Jovanka-Bontschits-Str. 2, Darmstadt, Germany. [e-mail]) ,  Albe Karsten
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 9  ページ： 4368-4375  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープまたは非化学量論Na_1/2Bi_1/2TiO_3(NBT)は,イットリア安定化ジルコニア(YSZ)[M.Liら,Nat.Mater.、2014、13-、31 35]に匹敵するイオン伝導率を示し,温度依存活性化エネルギーであった。この温度依存性の起源を理解するために,密度汎関数理論(DFT)アプローチの枠内でのナッジド弾性バンド計算によりNBTの三つの異なる相の酸素空孔移動障壁を計算した。岩塩秩序化A-サイト陽イオン(III)をもつ構造物に対する,室温菱面体晶相,中間斜方晶相と高温正方晶相は異なる移動障壁を示し,菱面体晶から減少正方晶相になることが分かった。菱面体晶から正方晶相への移動障壁の変化を実験的に観察された違いを説明できるほどの大きさではない。より低い温度では,MgドーパントまたはBi空孔と酸素空孔の会合は,酸素空格子点の移動の活性化エネルギーを増加させた。このように,相依存性移動障壁と欠陥会合の組み合わせは,活性化エネルギーの温度依存変化を説明することができる。さらに,層状カチオン秩序(100)が存在するとき,二層が発生する可能性があるに沿った酸素空格子点が二層と高速拡散内に位置することを好んだ。移動酸素イオンの電子欠陥状態による大きな移動障壁。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非化学量論 ,  *ビスマス ,  活性化エネルギー ,  正方晶系 ,  三方晶系 ,  密度汎関数法 ,  斜方晶系 ,  ドーピング ,  ドーパント ,  温度依存性 ,  酸素イオン ,  酸素空格子点 ,  イオン伝導率 ,  YSZ【セラミック】 ,  *イオン伝導体

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン伝導体 ,  酸素移動 ,  相転移 ,  欠陥 ,  会合