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J-GLOBAL ID:201702228202359550   整理番号:17A0057219

Wheatstoneブリッジ回路による多層とスピンバルブ薄膜に基づく巨大磁気抵抗(GMR)センサを用いたFe_3O_4磁気ナノ粒子の検出【Powered by NICT】

Detection of Fe3O4 Magnetic Nanoparticles using Giant Magnetoresistance (GMR) Sensor Based on Multilayer and Spin Valve Thin Films by Wheatstone Bridge Circuit
著者 (5件):
資料名:
巻: 2016  号: ISSIMM  ページ: 32-36  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Wheatstoneブリッジに用いた多層とスピンバルブ薄膜をベースにした巨大磁気抵抗(GMR)センサを用いてFe_3O_4ナノ粒子の検出を実証した。薄膜をDCマグネトロンスパッタリング法により作製した。多層薄膜の構造は[Co(1,5 nm)/Cu(1,0 nm)]20であり,スピンバルブ薄膜はIrMn(10 nm)/CoFe(3 nm)/Cu(2.2 nm)/CoFeB(10 nm)である。Fe_3O_4ナノ粒子を化学的共沈法で合成した。ナノ粒子は77emu/gの磁化と10nmの平均粒径を飽和する超常磁性特性を示した。Fe_3O_4磁気ナノ粒子の結晶構造は逆スピネル。Wheatstoneブリッジの出力電圧はFe_3O_4濃度(0.1 mg/ml; 1 mg/ml; 10 mg/ml; 100 mg/ml)まで線形であった。勾配は多層薄膜のスピンバルブ薄膜と0.07に対して0.20であった。勾配は多層より高感度であることをスピンバルブ薄膜を示した。スピンバルブ薄膜の磁気モーメントは多層薄膜より容易に飽和した。スピンバルブ薄膜の磁化は,20Oeの外部磁場で飽和できたが,多層膜は5000Oeであった。スピンバルブの磁気抵抗は6%であり,多層膜の磁気抵抗は4%であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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酸化物結晶の磁性 

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