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J-GLOBAL ID：201702230366900222   整理番号：17A0705094

Ta_3N_5半導体の光電気化学的性質に及ぼすMg-Zrの同時ドーピングの影響:理論的洞察【Powered by NICT】

Effects of Mg-Zr codoping on the photoelectrochemical properties of a Ta₃N₅ semiconductor: a theoretical insight

著者 (6件)： Wang Jiajia (College of Mechanics and Materials, Hohai University, Nanjing 210098, P. R. China. [e-mail]) ,  Ma Aibin ,  Li Zhaosheng ,  Jiang Jinghua ,  Chen Jianqing ,  Zou Zhigang
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 15  ページ： 6966-6973  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の実験は,Mg-Zr共ドープTa_3N_5半導体は改善された光電気化学活性を示すことを明らかにしたが,改善された光電気化学活性におけるMg-Zr共ドーピングの役割は不明のままである。本研究では,密度汎関数理論計算は,Mg-Zr共ドープTa_3N_5の電子構造と熱力学的性質を調べるために行った。結果はMgとZrドーパントはTa_3N_5の電子構造に及ぼす同じ効果を持つことを示したが,Ta_3N_5におけるMgとZrの熱力学的性質は異なっていた。Zrドーパントが優先的にTa原子を置換し,酸素不純物と窒素空格子点を補償し,Ta_3N_5の開始電位の陰極シフトをもたらした。Mgドーパントが格子間位置を優先的に占有及び非局在化した電子供与体として作用し,増強された光電流に寄与した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーパント ,  *ドーピング ,  熱力学的性質 ,  *半導体 ,  光電流 ,  *タンタル ,  *光電気化学 ,  *マグネシウム ,  酸素 ,  *ジルコニウム ,  不純物 ,  電子構造 ,  電子供与体 ,  *共ドーピング ,  *電気化学的特性

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電気 ,  化学的性質 ,  Mg ,  Zr ,  同時ドーピング ,  理論 ,  洞察