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J-GLOBAL ID：201702230889000134   整理番号：17A0065427

トカマクのプラズマ電子脱出閾値実験研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental research of the threshold conditions of runaway electron in tokamk

著者 (3件)： Yang Dewu (School of Physical Electronics,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Zhu Jinxia (School of Physics and Mecha-tronic Engineering,Sichuan University of Arts and Science) ,  Yao Lieming (School of Physical Electronics,University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao  (Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao)
巻： 33  号： 5  ページ： 849-854  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2079A  ISSN： 1000-0364  CODEN： YYFXEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,統計的方法を用いて,HL-2Aトカマクのオーム放電条件下での実験データを解析し,そして,プラズマの電圧と中心線の平均プラズマ電子密度などのパラメータに従って,電子脱出の実験閾値を計算した。一次生成機構の下での逃避電子の理論的閾値と比較した。実験データにより、逃避電界の閾値は相対論的衝突理論の予測より明らかに高く、電子逃避現象を抑制する臨界電子密度は理論予測より低いことが明らかになった。これはITPA(INTERNATIONAL TOKAMAK PHYSICS ACTIVITY)がD3D、TEXTOR、FTU、KSTARなどの装置による実験結果と一致している。脱出現象の発生時の硬X線の成長率に対する実験研究により、一次生成メカニズムでの逃避電子の成長率は電界強度の大きさに比例し、中心線の平均プラズマ電子密度と反比例することが分かった。この現象は,リング電圧を減少させ,プラズマ密度を増加させることによって,電子逃避現象を抑制することができることを証明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  成長率 ,  *プラズマ ,  相対論 ,  電界強度 ,  電子密度 ,  臨界 ,  プラズマ密度 ,  統計的方法 ,  硬X線 ,  電圧 ,  *トカマク ,  HL-2A装置
準シソーラス用語： 生成機構 ,  HL-2A ,  *実験研究 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Runaway electron ,  Dreicer mechanism ,  Runaway threshold

分類 (1件)： 核融合装置  (BJ02083Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： トカマク ,  プラズマ ,  電子 ,  脱出 ,  閾値 ,  実験 ,  研究