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J-GLOBAL ID：201702237697455573   整理番号：17A0325979

Cdドープ1D-ZnOナノロッドの圧電性と半導性特性に及ぼす非対称効果の解明【Powered by NICT】

Elucidation of the unsymmetrical effect on the piezoelectric and semiconducting properties of Cd-doped 1D-ZnO nanorods

著者 (4件)： Purusothaman Yuvasree (Nanomaterials and System Lab, Department of Mechatronics Engineering, Jeju National University, Jeju 690-756, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Alluri Nagamalleswara Rao ,  Chandrasekhar Arunkumar ,  Kim Sang-Jae
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 2  ページ： 415-426  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,カドミウムをドープした1D-ZnOナノロッド(NR)の機能的(圧電気と半導体)特性,高いイオン半径(0.97Å)を有するにおける非対称効果を報告した。c軸に沿って,二次CdO相のない六方晶ウルツ鉱構造を持つCdZnO NRsの成長はXRDパターンで確認し,XPS分析から観察された酸化状態は,ZnO NRへのCd~2+の拡散を確認した。圧電特性における一倍の減少はナノ発電機の製作により決定し,半導体特性の増強は,ZnO NR格子中にドープしたCdの様々なwt%Ag/Cd ZnO NRs/Agデバイスを用いて研究した。CdZnO NRは,純粋なZnO NRs(I_ph~213μA)と比較して光生成電荷キャリア(I_ph~330μA), 10Vのバイアス電圧,波長365nmと8mW cm~ 2の光強度で得られたを改善した。CdZnO NR(1 wt%)に基づくセンサは,検出能(D*)限界純ZnO NR(D*=5.4 × 10~10 cm H~1/2 W~ 1)のそれと比較して1×10~11cm H~1/2W~ 1の良好な光応答を示した。CdZnO NR UVセンサを駆動する独立電源としてのZnO NRに基づくナノ発電機に並列結合された自己出力型UVセンサ(SPUV S)を実証した。CdZnO NRの低温水熱合成は単純でコストが安く,工業的応用のためのスケーラブルである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 水熱合成 ,  *圧電気 ,  *ドーピング ,  X線回折 ,  イオン半径 ,  *酸化亜鉛 ,  波長 ,  X線光電子分光法 ,  *非対称性 ,  低温 ,  六方晶系 ,  *ナノロッド ,  光強度 ,  電荷キャリア
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cd ,  ドープ ,  1D ,  ZnOナノロッド ,  圧電性 ,  半導性 ,  非対称