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J-GLOBAL ID：201702242876429854   整理番号：17A0696913

二層グラフェン電界効果トランジスタに基づく室温,低インピーダンスと高感度テラヘルツ直接検出器【Powered by NICT】

Room-temperature, low-impedance and high-sensitivity terahertz direct detector based on bilayer graphene field-effect transistor

著者 (9件)： Qin Hua (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou, 215123, PR China) ,  Sun Jiandong (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou, 215123, PR China) ,  Liang Shixiong (National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, Hebei, 050051, PR China) ,  Li Xiang (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou, 215123, PR China) ,  Li Xiang (School of Nano Technology and Nano Bionics, University of Science and Technology of China, Suzhou, 215123, PR China) ,  Yang Xinxin (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences, 398 Ruoshui Road, Suzhou, 215123, PR China) ,  He Zehao (National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, Hebei, 050051, PR China) ,  Yu Cui (National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, Hebei, 050051, PR China) ,  Feng Zhihong (National Key Laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang, Hebei, 050051, PR China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 116  ページ： 760-765  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二層グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)をベースにした室温,低インピーダンスと高感度テラヘルツ直接検出器を報告した。炭化けい素上に成長させたエピタキシャル,二層グラフェンは3000cm~/Vsの成長したままのキャリア移動度を持っていた。ソース/ドレイン接触は新たに清浄化したグラフェンシート上に形成された接触抵抗を最小化し,テラヘルツアンテナとしても役立った。長145nm,ソース/ドレインアンテナへの203nmのギャップを持つ下部ゲートと誘電体層を自己整合プロセスで形成された。GFETのキャリア移動度は約405cmに~/Vs減少したが,高品質のオーミックコンタクトと短いグラフェンチャネルは203Ω以下の全体的なソース-ドレイン抵抗を示した。30V/Wの電圧応答性と51pW/Hz~1/2の雑音等価パワーは0.33THzで直接検出で評価した。二端子検出器としてのGFET検出器を用いて,すなわち,ゲートフローティング,透過型テラヘルツイメージングを実証した。このような低インピーダンスGFET検出器である準光学的配置における高速ホモダイン検出とヘテロダイン検出を可能にする市販50Ω低雑音無線/マイクロ波周波数増幅器に整合しやすくなる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *高感度 ,  Ohm接触 ,  エピタクシー ,  *FET【トランジスタ】 ,  *テラヘルツ波 ,  マイクロ波 ,  キャリア移動度 ,  *検出器 ,  周波数 ,  応答特性 ,  *グラフェン ,  *インピーダンス ,  炭化ケイ素 ,  雑音 ,  *二層グラフェン

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二層グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  室温 ,  低インピーダンス ,  高感度 ,  テラヘルツ ,  検出器