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J-GLOBAL ID：201702244349749352   整理番号：17A0260608

GEドープSIC結晶の成長欠陥【JST・京大機械翻訳】

Defects in Ge Doped SiC Crystals

著者 (7件)： Zhang Fusheng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Chen Xiufang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Collaborative Innovation Center for Global Energy Interconnection (Shandong)) ,  Cui Yingxin (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Xiao Longfei (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Xie Xuejian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Xu Xiangang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Collaborative Innovation Center for Global Energy Interconnection (Shandong)) ,  Hu Xiaobo (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Collaborative Innovation Center for Global Energy Interconnection (Shandong))
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 31  号： 11  ページ： 1166-1170  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 2インチGEドープと非CanSIC結晶を物理的気相輸送(PVT)によって調製した。二次イオン質量分析計(SIMS),RAMAN分光法(RAMAN),RAMAN顕微鏡,レーザ共焦点顕微鏡(LEXT),および高分解能X線回折(HRXRD)を用いて,それらを特性評価した。結果は,GE元素がSIC結晶材料中に効果的にドープされ,ドーピング濃度が2.52′10(18)/CM3に達し,GE含有量の増加と漏れに伴って,ドーピング濃度が徐々に減少することを示した。成長初期の高濃度GEドーピングは,6H-SICの15R-SIC結晶への変換を促進し,成長中のGE濃度の減少とともに,6H-SICの安定成長を加速した。LEXTの顕微鏡観察により、成長初期の高GEのドーピングにより、空洞が明らかに増加し、転位密度が増加し、ドープ結晶中の転位密度が非Can結晶より1倍増大することが分かった。HRXRD分析により、GEがSIC格子定数を増大させることができ、これはエピタキシャルIII族窒化物材料の適配度を向上させ、デバイスの性能を改善することができることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  窒化物 ,  転位密度 ,  気相 ,  キャラクタリゼーション ,  *ドーピング ,  格子定数 ,  スペクトロスコピー ,  *結晶 ,  高濃度 ,  高分解能X線回折

著者キーワード (4件)： physical vapor transport ,  Ge doping ,  SiC crystal ,  lattice parameters

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  ドープ ,  SiC ,  結晶 ,  成長 ,  欠陥