文献

J-GLOBAL ID：201702245877298858   整理番号：17A0730808

反応性マグネトロンスパッタリングによる遷移型高反射膜のプロセス制御【JST・京大機械翻訳】

Process Control of High Reflectance Mirrors Preparation in Transition Region by Reactive Magnetron Sputtering

著者 (10件)： Zhang Sheng-wu (University of Science and Technology of China) ,  Huang Feng (University of Science and Technology of China) ,  Li Ming (University of Science and Technology of China) ,  Song Qiu-ming (University of Science and Technology of China) ,  Xie Bin (University of Science and Technology of China) ,  Wang Hai-qian (University of Science and Technology of China) ,  Zhao Dong-feng (Department of Chemical Physics,University of Science and Technology of China) ,  Chen Yang (Department of Chemical Physics,University of Science and Technology of China) ,  Jiang You-song (Shincron Co., LTD.) ,  Song Yi-zhou (Shincron Co., LTD.)
資料名： Zhongguo Jiguang  (Zhongguo Jiguang)
巻： 36  号： 1  ページ： 198-204  発行年： 2009年 
JST資料番号： C5022A  ISSN： 0258-7025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： TA_2O_5とSIO_2の単層と多層膜を,反応性マグネトロンスパッタリングによって調製し,高品質光学薄膜の調製に及ぼす影響因子と機構を研究し,高品質光学薄膜を調製するためのプロセスを研究した。受動的制御技術を用いて,マグネトロンスパッタリングによる高品質の光学的多層膜を実現した。結果は,反応性マグネトロンスパッタリングによって調製した膜が,より高い屈折率とより低い光損失を持つことを示した。遷移層における光学的多層膜の速度の変化は,スパッタリング電圧のドリフトに関連し,スパッタリング電圧の時間変化に対するフィッティングにより,修正アルゴリズムを修正することができた。40NMのTA_2O_5/SIO_2薄膜を,表面粗さが0.56NMの石英基板上に,遷移層法と膜厚補正により調製し,反射率はダウン%に達した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多層膜 ,  経時変化 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *プロセス制御 ,  膜厚 ,  *スパッタリング ,  薄膜 ,  屈折率 ,  反射率 ,  電圧 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： 遷移層 ,  光学薄膜 ,  高品質 ,  *反応性マグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： thin films ,  eactive magnetron sputtering ,  transition region ,  high reflectance films

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  遷移 ,  プロセス制御