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J-GLOBAL ID：201702246098737928   整理番号：17A0704565

Au/BiFeO_3/Nb:SrTiO_3(100)Schottky接合の強誘電抵抗スイッチングに及ぼす界面効果の影響【Powered by NICT】

Impact of interfacial effects on ferroelectric resistance switching of Au/BiFeO₃/Nb:SrTiO₃(100) Schottky junctions

著者 (10件)： He Shumin (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China. [e-mail]) ,  Liu Guolei ,  Zhu Yinlian ,  Ma Xiuliang ,  Sun Jirong ,  Kang Shishou ,  Yan Shishen ,  Chen Yanxue ,  Mei Liangmo ,  Jiao Jun
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 37  ページ： 22715-22721  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチングに界面効果を示す直接の証拠は強誘電中間層BFOの厚さを薄くすることによりAu/BiFeO_3Nd:SrTiO_3(001)(Au/BFO/NSTO)Schottky接合を実証した。Au/BFO/NSTO接合はエレクトロフォーミングプロセス無しでの大電流整流およびヒステリシス抵抗スイッチング挙動を示した。伝導機構は,BFO/NSTO界面に形成されたポテンシャル障壁を通過する界面制限Fowler-Nordheim(FN)トンネリングにより支配されている。分極スイッチング動力学と静電容量-電圧特性の測定は,Au/BFO/NSTO接合における抵抗スイッチングは強誘電性と界面限定されていることを直接的証拠を提供する。観察された抵抗スイッチング挙動は,BFO/NSTO界面に形成されたp-n接合の障壁と空乏層の幅の強誘電分極変調に起因すると考えられる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 静電容量 ,  整流 ,  空乏層 ,  ポテンシャル障壁 ,  トンネル効果 ,  *界面 ,  強誘電性 ,  ヒステリシス ,  分極反転 ,  PN接合 ,  強誘電分極 ,  伝導機構 ,  大電流 ,  中間層 ,  *抵抗スイッチング

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  Nb ,  Schottky接合 ,  抵抗スイッチング ,  界面