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J-GLOBAL ID:201702251174057888   整理番号:17A0759068

イオン注入とリソグラフィーの組合せによる横方向磁気変調多層膜【Powered by NICT】

Lateral Magnetically Modulated Multilayers by Combining Ion Implantation and Lithography
著者 (15件):
資料名:
巻: 13  号: 11  ページ: ROMBUNNO.201603465  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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リソグラフィーとイオン注入の組合せは,横方向多層膜を調製するのに適した方法であることを示した。Co交互(幅1.6μm)とCo-CoO(2.4μm幅)線から成る横方向に,組成,磁気的に変調されたマイクロスケールパターンリソグラフィーマスクされたAuでサンドイッチしたCo薄膜中への酸素イオン注入によって得た。線(すなわち,電流と印加磁場は線に平行)に沿った磁気抵抗は,室温での有効正の巨大磁気抵抗(GMR)挙動を明らかにした。逆に,O注入領域は交換結合なるため低温(すなわち,10K)で区別される異方性磁気抵抗とGMRの寄与。平面GMRは,主にスプリング磁石型配置の保磁力の空間変調,Co/Co CoO界面における180°Neel外因性ドメイン壁をもたらすに起因している。この方法の,パターンサイズ,形態および組成調整の観点から,汎用性は,特に,スピントロニクスの研究と応用のための平面システムを作製するためのユニークな経路を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  顕微鏡法 
タイトルに関連する用語 (5件):
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