軽不純物(C,O)を含む多結晶純粋シリコンおよびシリコン中の成長過冷却【Powered by NICT】

Riberi-Beridot T.; Tsoutsouva M.G.; Regula G.; Reinhart G.; Perichaud I.; Baruchel J.; Mangelinck-Noeel N.

文献

J-GLOBAL ID：201702252732110038 整理番号：17A0830155

軽不純物(C,O)を含む多結晶純粋シリコンおよびシリコン中の成長過冷却【Powered by NICT】

Growth undercooling in multi-crystalline pure silicon and in silicon containing light impurities (C and O)

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資料名：
巻： 466 ページ： 64-70 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

シリコンの凝固中の過冷却熱処理は成長粒子の核生成と成長に重要な役割を果たしていることを基本的なパラメータである。本研究では,多結晶シリコン試料の成長時の固液界面の過冷却は二種類のシリコンに対する測定した:純粋および,結晶成長に及ぼすそれらの影響を評価し,比較するために軽元素(炭素と酸素)を含む。固液界面過冷却は凝固中のその場および実時間X線シンクロトロンイメージングを用いて測定した。次の段階として,ex situ電子後方散乱回折(EBSD)は結晶構造,結晶方位および結晶粒界特性についての情報を得るために行った。二つの主要な結論を生じる(i)地球固体-液体前面の過冷却は一様な付着を示す成長速度と共に直線的に増加し,すなわちすべての原子は等価である,(ii)同じ傾向は,炭素と酸素を含む純粋なシリコンとシリコンで観察された。,得られた成長則は両方のケースでコンパラブルである,炭素(C)及び酸素(O)による汚染の場合に過冷却が関係として溶質効果は無視できることを示唆している。しかし,結晶構造と粒界型分布に及ぼす不純物存在の明確な効果である。多くの結晶粒が成長中の核形成CおよびOを含む試料は,結晶粒核形成が有利である析出物の存在を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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半導体の結晶成長 , 金属の結晶成長

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