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J-GLOBAL ID：201702252964278643   整理番号：17A0399722

強赤方偏移発光バンドをもつInGaN/GaN多重量子井戸におけるキャリア局在化に及ぼす成長温度の影響【Powered by NICT】

Influence of growth temperature on carrier localization in InGaN/GaN MQWs with strongly redshifted emission band

著者 (7件)： Mickevicius J. (Institute of Applied Research and Semiconductor Physics Department, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Dobrovolskas D. (Institute of Applied Research and Semiconductor Physics Department, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Aleksiejunas R. (Institute of Applied Research and Semiconductor Physics Department, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Nomeika K. (Institute of Applied Research and Semiconductor Physics Department, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Grinys T. (Institute of Applied Research and Semiconductor Physics Department, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Kadys A. (Institute of Applied Research and Semiconductor Physics Department, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania) ,  Tamulaitis G. (Institute of Applied Research and Semiconductor Physics Department, Vilnius University, Sauletekio al. 3, LT-10257 Vilnius, Lithuania)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 459  ページ： 173-177  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光バンドを長波長側にするために,InGaN/GaN多重量子井戸をパルスの固定パラメータ可変成長温度でおよびバッファ層としての短周期超格子(SPSL)を導入することにより,有機金属前駆体のパルスデリバリーを用いた有機金属化学気相成長法(MOCVD)により成長させた。両SPSLと量子井戸の成長温度を800°Cまで下げて,~2eVまでの光ルミネセンス(PL)バンドピークのかなりのシフトは,低キャリア密度でのPL強度の合理的に許容可能な低下で達成された。しかし,キャリア密度の増加はバンドのかなりの青方偏移をもたらし,効率低下開始はむしろ低キャリア密度で発生した。,構造解析により支持された,PLおよび示差光透過率に関するデータの比較は,PLバンド位置における大きな赤方偏移は,主に局在状態の増加尾部によって引き起こされることを明らかにした。一方,調べた試料の効率低下効果は非放射キャリア再結合の強化によって顕著に引起された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *発光 ,  青方偏移 ,  *キャリア ,  キャリア再結合 ,  光ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  構造解析 ,  キャリア密度 ,  バッファ層 ,  *多重量子井戸 ,  MOCVD ,  *赤方偏移 ,  *量子井戸 ,  *成長温度 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1キャリア局在化 ,  A3MOCVD ,  A3量子井戸 ,  A3SPSL ,  B1窒化物

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 赤方偏移 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  キャリア ,  局在化 ,  成長温度