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J-GLOBAL ID：201702257106082204   整理番号：17A0063599

光化学的エッチング法によるSIC基板のエピタキシャル層の除去とそのキャラクタリゼーションを行った。【JST・京大機械翻訳】

Photo-electrochemical removal of graphene buffer layer on SiC substrate

著者 (6件)： Sun Li (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Chen Xiufang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Zhang Fusheng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Yu Cancan (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Zhao Xian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University) ,  Xu Xiangang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University)
資料名： Huagong Xuebao  (Huagong Xuebao)
巻： 67  号： 10  ページ： 4356-4362  発行年： 2016年 
JST資料番号： E0215B  ISSN： 0438-1157  CODEN： HUKHAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高温条件下で炭化ケイ素(SIC)単結晶を分解し,直径5CMの4H-SIC(0001)面制備出単層グラフェンを調製した。光電気化学エッチング法を用いて,KOHとSICの間の反応を行い,グラフェンと基板間の相互作用力を低下させ,その場成長過程でSIC基板とグラフェンの間に存在するバッファ層を除去し,準自由の二重層グラフェンを得た。最初に,電流密度が6MA CM(-2),光電流が6MA CM(-2),サンプルの間隔が3CMのとき,グラフェンバッファ層の除去効率とグラフェンの品質が最も良いことを示した。この最適化プロセスで処理した試料は,ラマン分光法によりその場成長したバッファ層が基板と脱離し,準自由グラフェンの特性を示すことを示した。X線光電子分光(XPS)C1Sスペクトルでは,上層グラフェンと基板SISIが結合したS1,S2特性ピークが消失し,すなわちグラフェンバッファ層が消失することを示した。エッチング過程における電気化学的曲線を分析することにより,エッチング過程の化学反応過程における動特性を提案した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  電流密度 ,  *光化学 ,  最適化 ,  高温 ,  光電流 ,  *エッチング ,  Raman分光法 ,  バッファ層 ,  炭化ケイ素 ,  電気化学 ,  グラフェン ,  X線光電子分光法 ,  単結晶 ,  *エピタキシャル層 ,  改変

著者キーワード (6件)： graphene ,  synthesis ,  silicon carbide ,  buffer layer ,  electrochemistry ,  photochemistry

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光化学 ,  エッチング ,  SiC基板 ,  エピタキシャル層 ,  キャラクタリゼーション