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J-GLOBAL ID：201702266655029394   整理番号：17A0822617

SnS₂及びSnSe₂2次元材料の層依存特性

Layer-dependent properties of SnS₂ and SnSe₂ two-dimensional materials

著者 (2件)： GONZALEZ Joseph M. (Univ. South Florida, Florida, USA) ,  OLEYNIK Ivan I. (Univ. South Florida, Florida, USA)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 94  号： 12  ページ： 125443.1-125443.10  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  *セレン化物 ,  *半導体 ,  低次元系 ,  バンド構造 ,  *電子構造 ,  結晶構造 ,  状態密度 ,  *層状化合物 ,  Ramanスペクトル ,  格子振動 ,  スペクトルシミュレーション ,  薄膜 ,  励起子 ,  分極率
準シソーラス用語： DFT【関数】 ,  *硫化スズ ,  *セレン化スズ ,  二次元系 ,  単層膜

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 層