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J-GLOBAL ID：201702268120484385   整理番号：17A0365976

固相結晶成長による(Na_0 5Bi_0)TiO_3 SrTiO_3単結晶の成長【Powered by NICT】

Growth of (Na_0.5Bi_0.5)TiO₃-SrTiO₃ single crystals by solid state crystal growth

著者 (7件)： Lee Daeki (School of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, 77 Yongbong-ro, Buk-gu, Gwangju, 61186 Republic of Korea) ,  Vu Hung (School of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, 77 Yongbong-ro, Buk-gu, Gwangju, 61186 Republic of Korea) ,  Sun Hengyang (School of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, 77 Yongbong-ro, Buk-gu, Gwangju, 61186 Republic of Korea) ,  Pham Thuy Linh (School of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, 77 Yongbong-ro, Buk-gu, Gwangju, 61186 Republic of Korea) ,  Nguyen Dang Thanh (School of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, 77 Yongbong-ro, Buk-gu, Gwangju, 61186 Republic of Korea) ,  Lee Jong-Sook (School of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, 77 Yongbong-ro, Buk-gu, Gwangju, 61186 Republic of Korea) ,  Fisher John G. (School of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, 77 Yongbong-ro, Buk-gu, Gwangju, 61186 Republic of Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 16  ページ： 18894-18901  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.8(Na_0 5Bi_0)TiO_3 2SrTiO_3の単結晶を固相結晶成長(SSCG)により初めて成長させた。SrTiO_3の[001],[110]および[111]方位の種結晶は0.8(Na_0 5Bi_0)TiO_3 2SrTiO_3粉末試料を加圧成形した埋設した。試料は1200°C,20hで焼結し,0.8(Na_0 5Bi_0)TiO_30 2SrTiO_3の単結晶は,種子上で成長した。最小成長の方向は[001](~60μm)であり,成長距離~200μmを有する[110]および[111]方向であった。結晶の化学組成は電子プローブマイクロ分析により解析し,公称組成に近いことが見出され,NaとBiの蒸発であった。顕微Raman散乱は単結晶は(Na_0 5Bi_0)TiO_3構造を持つことを示した。電気的性質を測定するために,0.8(Na_0 5Bi_0)TiO_3 2SrTiO_3の単結晶厚膜は[001]配向NbドープSrTiO_3種結晶上に成長させた。単結晶厚膜は損失の多い強誘電体材料のためのリラクサ状相対誘電率対温度挙動及び分極-電場ヒステリシスループを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 微量分析 ,  種結晶 ,  *ナトリウム ,  電場 ,  厚膜 ,  化学組成 ,  *単結晶 ,  誘電率 ,  *ビスマス ,  *固相 ,  ニオブ ,  リラクサ ,  Raman散乱 ,  ドーピング ,  ヒステリシスループ ,  *相

著者キーワード (4件)： 無鉛圧電 ,  ペロブスカイト(D) ,  微細構造最終(B) ,  誘電特性(C)

分類 (3件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 固相結晶成長 ,  単結晶の成長