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J-GLOBAL ID：201702272382544266   整理番号：17A0731089

4インチVGF GAAS単結晶成長の数値シミュレーションと実験研究【JST・京大機械翻訳】

Numerical Simulation and Experimental Study on 4” VGF GaAs Crystal Growth

著者 (5件)： Ding Guoqiang (Guojing Infrared Optical Technology Co., Ltd,General Research Institute for Non-Ferrous Melts of Beijing) ,  Su Xiaoping (Guojing Infrared Optical Technology Co., Ltd,General Research Institute for Non-Ferrous Melts of Beijing) ,  Tu Hailing (Guojing Infrared Optical Technology Co., Ltd,General Research Institute for Non-Ferrous Melts of Beijing) ,  Zhang Fengyi (Guojing Infrared Optical Technology Co., Ltd,General Research Institute for Non-Ferrous Melts of Beijing) ,  Tu Fan (Guojing Infrared Optical Technology Co., Ltd,General Research Institute for Non-Ferrous Melts of Beijing)
資料名： Xiyou Jinshu  (Xiyou Jinshu)
巻： 33  号： 2  ページ： 211-216  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2058A  ISSN： 0258-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 数値シミュレーションと実験を結合して,4インチVGF GAAS単結晶の成長を研究した。まず第一に,炉の構造と材料に基づいて,実際の単結晶成長システムに近い炉モデルを確立した。このモデルに基づき、結晶成長シミュレーションソフトCRYSMASを用いて、炉内の温度分布、結晶及び溶融物の温度勾配、界面位置などを計算した。単結晶成長の異なる時間のシミュレーションにより、単結晶の成長技術を制定した。次に,この技術に従って,単結晶成長実験を行った。実験とシミュレーション結果の比較分析を通じて、実験と数値シミュレーションの間の関係を構築し、数値シミュレーションにより結晶の実際の成長を指導するために根拠を提供した。最後に,数値シミュレーションを用いて単結晶成長における「境界効果」を研究し,結晶成長過程における多結晶の原因を検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  メルト ,  *結晶成長 ,  温度勾配 ,  界面 ,  多結晶 ,  温度分布
準シソーラス用語： 境界効果 ,  比較分析 ,  シミュレーションソフトウェア ,  *実験研究 ,  *数値シミュレーション ,  *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaAs ,  crystal ,  numerical simulation ,  vertical gradient freezing

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： VGF ,  GaAs単結晶 ,  成長 ,  数値シミュレーション ,  実験 ,  研究