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J-GLOBAL ID：201702273591739016   整理番号：17A0371606

先進セラミック基板としての応用のためのBi_2Ge_3O_9セラミックの合成とマイクロ波誘電特性【Powered by NICT】

Synthesis and microwave dielectric properties of Bi₂Ge₃O₉ ceramics for application as advanced ceramic substrate

著者 (9件)： Ma Xing-Hua (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul 136-701, Republic of Korea) ,  Kweon Sang-Hyo (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul 136-701, Republic of Korea) ,  Nahm Sahn (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul 136-701, Republic of Korea) ,  Nahm Sahn (Department of Nano-Bio-Information-Technology, KU-KIST Graduate School of Converging Science and Technology, Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, Republic of Korea) ,  Nahm Sahn (Electronic Materials Center, KIST 39-1 Hawolgok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-791, Republic of Korea) ,  Kang Chong-Yun (Department of Nano-Bio-Information-Technology, KU-KIST Graduate School of Converging Science and Technology, Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, Republic of Korea) ,  Kang Chong-Yun (Electronic Materials Center, KIST 39-1 Hawolgok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-791, Republic of Korea) ,  Yoon Seok-Jin (Electronic Materials Center, KIST 39-1 Hawolgok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-791, Republic of Korea) ,  Kim Young-Sik (Department of Radio Communications Engineering, Korea University, Seoul 136-701, Republic of Korea)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 37  号： 2  ページ： 605-610  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi_2O_3GeO_2粉末を用いたBi_2Ge_3O_9セラミックスの合成の際に,Bi_4Ge_3O_12相は低温(≦800°C)で形成された。Bi_4Ge_3O_12はGeO_2~-過剰相を採用した優先的に,この相は二次相として焼結Bi_2Ge_3O_9セラミック中に存在した。Bi_4Ge_3O_12粉末を最初に焼成し,続いてGeO_2粉末と反応して次の反応を通した純Bi_2Ge_3O_9セラミックを得た:1/2Bi_4Ge_3O_12/2GeO_2→Bi_2Ge_3O_9。Bi_2Ge_3O_9相の形成は850~°Cの温度で開始した。8h,875°Cで焼結した純粋なBi_2Ge_3O_9セラミックは,平均粒径2.7μmの緻密な微細構造を有していた。さらに,純Bi_2Ge_3O_9セラミックは先端セラミック基板のための有望なマイクロ波誘電特性を示した:ε_r=9.7,Q×f=48,573GHzおよびτ_f= 29.5ppm/°Cであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 粉体 ,  低温 ,  微細構造 ,  *セラミック ,  第二相 ,  焼結
準シソーラス用語： *マイクロ波誘電特性 ,  *セラミック基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Bi_2Ge_3O_9セラミック ,  LTCC ,  マイクロ波誘電特性 ,  先進セラミック基板

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミック基板 ,  応用 ,  セラミック ,  マイクロ波誘電特性