文献

J-GLOBAL ID：201702274613333973   整理番号：17A0665781

CaCu_3Ti_4O_12viaの改良された巨大誘電特性はF~-置換による結晶粒と結晶粒界の電気的性質の調整【Powered by NICT】

Improved giant dielectric properties of CaCu₃Ti₄O₁₂via simultaneously tuning the electrical properties of grains and grain boundaries by F^- substitution

著者 (7件)： Jumpatam Jutapol (Materials Science and Nanotechnology Program, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand) ,  Putasaeng Bundit ,  Chanlek Narong ,  Kidkhunthod Pinit ,  Thongbai Prasit ,  Maensiri Santi ,  Chindaprasirt Prinya
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 7  ページ： 4092-4101  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CaCu_3Ti_4O_12セラミックスの結晶粒および結晶粒界の電気的応答を同時に改質するため新しい概念を提案し,巨大誘電特性を改善するためにF~ アニオンのドーピングを伴った。CaCu_3Ti_4O_12セラミックの粒成長速度はF~ アニオンのドーピングにより促進し,これは微細構造中に均一に分散していることが分かった。F~ アニオンの置換は絶縁性結晶粒界の抵抗と結晶粒抵抗の減少の増加を引き起こす可能性がある。前者はF~-ドーパントの能力に起因する結晶粒界でのSchottky障壁高さを向上させるために,5の因子(tanδ<0.1)による誘電損失正接の大きな低下をもたらした。後者は主に電荷補償によるTi~3+及びCu~+濃度の増加に起因し,粒界での空間電荷分極の有意に増強された強度をもたらした。これは≒10~4から約10~5誘電体誘電率の増加の主な原因である。巨大誘電と電気的性質は結晶粒界におけるSchottky障壁の内部障壁層キャパシタモデルに基づいてMaxwell-Wagner分極緩和により良く記述された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *誘電性 ,  損失正接 ,  セラミック ,  微細構造 ,  *結晶粒 ,  分極 ,  誘電損失 ,  アニオン ,  誘電率 ,  ドーパント ,  *結晶粒界 ,  不純物補償 ,  Schottky障壁
準シソーラス用語： 空間電荷分極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電特性 ,  置換 ,  結晶粒 ,  結晶粒界 ,  電気的性質