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J-GLOBAL ID：201702277649650702   整理番号：17A0124328

kMC TDDBシミュレーションを持つ超薄EOT高k金属ゲートNMOSFETの時間依存絶縁破壊特性に及ぼすTiNキャッピング層の影響に関する研究【Powered by NICT】

Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high--k metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations

著者 (14件)： Xu Hao (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Hong (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Luo Weichun (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Yefeng (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Yanrong (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Tang Bo (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Wenwu (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Qi Luwei (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Junfeng (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yan Jiang (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Huilong (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Chao (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Dapeng (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ye Tianchun (Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 8  ページ： 087305-1-087305-05  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄EOT高k金属ゲートNMOSFETの時間依存絶縁破壊(TDDB)特性に及ぼすTiNキャッピング層の厚さ効果を本論文で研究した。実験結果に基づいて,より厚いTiN層をもつデバイスは,薄いTiN層よりもより有望な信頼性特性を有することを見出している。電荷ポンピング測定と二次イオン質量分光法(SIMS)解析から,厚いTiN層を持つ試料はよりIL/Si界面でのCl不動態化を紹介し,より低い界面トラップ密度を示すことが示唆された。添加では,界面とバルクトラップ密度比N(it)/N(OT)の影響をパーコレーション理論と速度論的モンテカルロ(kMC)法を組み合わせてTDDBシミュレーションにより研究した。種々の厚さのTiNキャップ層の界面トラップ効果により説明される寿命の減少とWeibull勾配低下。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  モンテカルロ法 ,  界面 ,  *時間依存性 ,  塩素 ,  *絶縁破壊 ,  速度論 ,  トラップ密度 ,  パーコレーション理論 ,  界面トラップ ,  *窒化チタン ,  *経時絶縁破壊 ,  改変
準シソーラス用語： キャップ層 ,  チャージポンプ回路 ,  *メタルゲート ,  *TDDB , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高k金属ゲート ,  TiNキャッピング層 ,  TDDB ,  界面トラップ密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： TDDB ,  シミュレーション ,  EOT ,  金属ゲート ,  nMOSFET ,  時間依存 ,  絶縁 ,  破壊特性 ,  TiN ,  キャッピング層 ,  研究