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J-GLOBAL ID：201702279559265459   整理番号：17A0375069

陽電子消滅により研究したアニーリングによる非晶質シリコン薄膜の微細構造の発展【Powered by NICT】

Microstructure evolution of amorphous silicon thin films upon annealing studied by positron annihilation

著者 (6件)： Wang Xiaonan (Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  He Xiaoyu (Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Mao Wenfeng (Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Zhou Yawei (Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Lv Shuliang (Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  He Chunqing (Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 56  ページ： 344-348  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリコン(a Si)薄膜をプラズマ増強化学蒸着(PECVD)によりガラス基板上に作製した。膜の微細構造,表面形態,および欠陥発展に及ぼすアニーリング温度の影響を低速陽電子ビームに基づいたX線回折(XRD),原子間力顕微鏡(A FM),陽電子消滅Doppler広がり分光法(DBS)によってそれぞれ調べた。堆積したa-Si薄膜のSパラメータは高く,多くの欠陥を持つSi膜の非晶質状態を示した。a-Siは徐々に温度を650°Cに上げることで多結晶シリコンへ成長する~450°C以下でアニールした膜に対しては,ほとんどの陽電子はa-Si膜の欠陥に捕獲された,そこで消滅するため陽電子拡散長はむしろ小さかった。温度上昇600°Cにすると,陽電子の拡散長さは,高い温度でのアニーリングによる空格子点型欠陥の除去のために著しく増加した。結果は,a-Si薄膜の小さな空格子点型欠陥の合体とa-Siの結晶化は450°Cと650°C付近でそれぞれ起こることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *焼なまし ,  *陽電子 ,  X線回折 ,  *アモルファスシリコン ,  拡散距離 ,  原子間力顕微鏡 ,  *薄膜 ,  ケイ素 ,  プラズマCVD ,  *陽電子消滅 ,  ポリシリコン ,  低速陽電子ビーム ,  アニーリング温度 ,  表面形態 ,  ガラス基板

著者キーワード (4件)： 非晶質シリコン ,  薄膜 ,  欠陥 ,  陽電子消滅

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 陽電子消滅 ,  研究 ,  アニーリング ,  非晶質 ,  シリコン薄膜 ,  微細構造 ,  発展