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J-GLOBAL ID：201702280725476083   整理番号：17A0110792

-複合注入による絶縁体上のケイ素材料酸化物の全線量放射応答【JST・京大機械翻訳】

The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation

著者 (6件)： Zheng Zhongshan (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Ning Jin (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Baiqiang (School of Physics and Technology, University of Jinan) ,  Liu Zhongli (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Luo Jiajun (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Han Zhengsheng (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences)
資料名： Zhongguo Kexue. Cailiao Kexue  (Zhongguo Kexue. Cailiao Kexue)
巻： 59  号： 8  ページ： 657-664  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2863A  ISSN： 2095-8226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上のシリコン材料(SOI)中の酸化ケイ素(BOX)の放射線照射量を高めるため、イオン注入方式を採用し、イオン注入法を用いて、材料のBOXに対してイオン注入を行った。修飾-BOX-半導体Chen(PBS)キャパシタ構造を改質BOXにより作製し,CO-60Γ線を用いて0.7~1.7MRAD(SI)の範囲でPBSを照射した。静電容量-電圧(C-V)技術を用いて,サンプルの放射特性を特性評価した。実験により、適切なプロセス条件下で、BOXに対する-の複合注入は、BOXの耐放射線能力を明らかに改善し、BOXの放射応答は注入の焼なまし時間と直接に関係することが分かった。同時に、実験により、照射線量の増加に伴い、BOXの放射応答にはスプリングバックと振動現象が現れた。実験結果に基づいて,その機構を解析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *放射線量 ,  焼なまし ,  半導体 ,  *絶縁材料 ,  放射特性 ,  酸化ケイ素 ,  照射線量 ,  コンデンサ ,  *ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  放射線照射 ,  スプリングバック ,  静電容量 ,  放射線 ,  イオン注入 ,  欠陥 ,  加工欠陥

著者キーワード (4件)： silicon-on-insulator ,  total dose radiation hardness ,  nitrogen implantation ,  fluorine implantation

分類 (3件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 注入 ,  絶縁体 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  線量 ,  放射 ,  応答